窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小崎 徳也; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256662A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板の製造方法と、窒化物半導体基板を用いた素子の新規な製造方法を提供する。 【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる厚さ1mm以上の基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させた後、その基板を除去し、一方窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させる第1の工程と、第1の工程後、前記基板を除去することによって窒化物半導体基板を作製する第2の工程と、第2の工程後、表面の凹凸差が±1μm以下になるまで窒化物半導体基板表面を研磨する第3の工程と、第3の工程後、窒化物半導体基板の研磨面に新たな窒化物半導体を成長させる第4の工程とを備える。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51088]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小崎 徳也,中村 修二. 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法. JP1998256662A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。