光半導体チップキャリア
文献类型：专利
| 作者 | 五明 博之; 青木 聰; 藤田 実; 青木 雅博; 井戸 立身 |
| 发表日期 | 1998-10-13 |
| 专利号 | JP1998275957A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体チップキャリア |
| 英文摘要 | 【目的】 実装の簡易な高周波特性を改善した光半導体チップキャリアを得る。 【解決手段】 光半導体チップキャリア60を導電性のベース基板25と誘電体基板41で構成する。誘電体基板41上には、信号ライン251、接地ライン252、終端抵抗253、メッキ処理されたスルーホール256等が形成される。半導体レーザ151と光変調器152からなる集積化光源チップ15がベース基板上に基板41と隣接して半田付けされ、バイアス用のチップコンデンサ3もベース基板上に半田付けされる。半導体レーザとチップコンデンサ間、光変調器と信号ライン間等はボンディングワイヤ751〜753により接続される。 【効果】 チップキャリアに起因するインダクタンスや寄生容量の低減、ボンディングワイヤ接続箇所の低減により、高周波化と実装工数低減が図れる。 |
| 公开日期 | 1998-10-13 |
| 申请日期 | 1997-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51091]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 五明 博之,青木 聰,藤田 実,等. 光半導体チップキャリア. JP1998275957A. 1998-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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