III-V族化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 伸洋; 厚主 文弘; 渡辺 昌規 |
| 发表日期 | 1998-11-17 |
| 专利号 | JP1998308551A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III-V族化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型及びn型添加不純物の拡散を抑制する。 【解決手段】 複数のn型III-V族化合物半導体膜と、複数のp型III-V族化合物半導体膜と、を備えたIII-V族化合物半導体発光素子において、前記p型III-V族化合物半導体の少なくとも1層は、炭素原子とII族元素原子とが同時に添加されてなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-11-17 |
| 申请日期 | 1997-05-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51095]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 伸洋,厚主 文弘,渡辺 昌規. III-V族化合物半導体発光素子. JP1998308551A. 1998-11-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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