窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 岡 崎 治 彦 |
| 发表日期 | 1998-11-17 |
| 专利号 | JP1998308533A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体層側から光を取り出すことを可能とし、サファイア基板を下面としてマウントしても十分な発光強度が得られるばかりでなく、製造歩留まりおよび信頼性も向上された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法ならびに発光装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板上に堆積した窒化ガリウム系化合物半導体層の最上面に酸素と金属元素とを含む透光性電極を形成し、この電極を透過させて発光を取り出すようにする。この透光性電極に水素を含有させるとさらに光透過率を向上させることができる。また、透光性電極の下にドーパントの層を設け、熱処理を施すことにより、接触抵抗を低減することができる。 |
| 公开日期 | 1998-11-17 |
| 申请日期 | 1997-05-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51097]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 崎 治 彦. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置. JP1998308533A. 1998-11-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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