半導体素子の試験方法および試験装置
文献类型：专利
| 作者 | 幕 田 章 雄 |
| 发表日期 | 1998-12-04 |
| 专利号 | JP1998321685A |
| 著作权人 | TOSHIBA ELECTRON ENG CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の試験方法および試験装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡易な工程により、極めて短時間にスクリーニングを行うことができ、しかもアセンブリ工程を必要とせず、チップの取り違いなども生ずることがない半導体素子の試験方法および試験装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明者は独自の知見にもとづき、半導体素子をアセンブリしないでバーンインすると、極めて効率的且つ的確な加速劣化試験を実現できることを見出した。本発明は、この知見に基づくものであり、バー状態の半導体素子をアセンブリせずに、そのまま評価用ホルダに載置し、特性を評価するとともに、バーンインすることにより、従来と比較して極めて短時間で信頼性の評価を行えるようにしたものである。このように、バー状態の半導体素子を取り扱うことにより、従来の煩雑なチップ単位の取り扱いが不要となる。 |
| 公开日期 | 1998-12-04 |
| 申请日期 | 1997-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51102]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA ELECTRON ENG CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幕 田 章 雄. 半導体素子の試験方法および試験装置. JP1998321685A. 1998-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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