3族窒化物半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小池 正好 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026812A |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3族窒化物半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ミスフィット転位及び刃状転位の発生を防止し, 結晶性を高めること。 【解決手段】基板1の温度を900℃にしてN2又はH2,NH3, 及びトリメチルガリウム(TMG)をそれぞれ所定量供給して, 膜厚約35ÅのGaNから成るバリア層51を形成し, 基板1の温度を600℃まで低下させ,N2又はH2,NH3及びTMGをそれぞれ所定量供給すると共にトリメチルインジウムの供給量を変化させ, 膜厚約35Åの井戸層52を形成する。井戸層52におけるIn組成比は,バリア層51との界面位置T1,T3ではバリア層51のIn組成比と略等しく, 厚さ方向に沿った中央位置T2においては最大になるように, 厚さ方向に沿ってIn組成比が連続的に変化するように形成されるので,井戸層52は界面において格子が滑らかに結合され,ミスフィット転位の発生が抑制される。又,井戸層52はIn組成比が厚さ方向に沿って連続的に変化するので,熱膨張係数差に伴って生ずる刃状転位の発生を防止でき,結晶性が向上する。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51108]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池 正好. 3族窒化物半導体素子及びその製造方法. JP1999026812A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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