発光素子及びその製造方法および光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 横川 俊哉; 齋藤 徹 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026877A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子及びその製造方法および光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 へき開を容易にして低しきい値電流密度で発振するGaN系半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 InGaN多重量子井戸発光層14を有するGaN系の六方晶系構造を有する半導体をn型GaAs基板18のような立方晶系の半導体とを熱処理を施すことにより融着により付着させる。その後、n型GaAs基板18をへき開すると、このへき開に従って六方晶系の半導体もへき開されるため、極めて平滑な共振器端面が得られ、結果的には小さなしきい値電流の発光素子を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51109]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横川 俊哉,齋藤 徹. 発光素子及びその製造方法および光ディスク装置. JP1999026877A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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