半導体発光装置および半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 森田 悦男 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068237A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置および半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子またはキャリア走行素子からの発熱による半導体発光素子またはキャリア走行素子自体およびモールド材料の劣化が極めて少なく、信頼性に優れた半導体発光装置および半導体装置を提供する。 【解決手段】 GaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子またはキャリア走行素子がモールドされた半導体発光装置および半導体装置において、SiC、III族元素の窒化物、カルコパイライト型結晶構造を有する化合物半導体またはダイアモンドからなるフィラーを樹脂に添加したモールド材料25を用いる。導電性のフィラーを用いる場合には、その表面に絶縁膜を形成しておく。ワイヤーボンディングなどを行った半導体発光素子またはキャリア走行素子などの表面に絶縁膜を形成した後にモールドを行うことにより、半導体発光素子またはキャリア走行素子とモールド材料25との間に絶縁膜を形成してもよい。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51118]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森田 悦男. 半導体発光装置および半導体装置. JP1999068237A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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