化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 小河 淳; 湯浅 貴之 |
| 发表日期 | 1999-05-21 |
| 专利号 | JP1999135882A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒素を主成分として含むIII-V族化合物半導体の良好な結晶を得ることを目的とする。 【解決手段】 マイカ上に、直接又は中間層を介して、窒素を主成分とするIII-V族化合物半導体を結晶成長させてなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-05-21 |
| 申请日期 | 1997-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51134]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小河 淳,湯浅 貴之. 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子. JP1999135882A. 1999-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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