光半導体製造方法およびエージング装置
文献类型：专利
| 作者 | 池田 健志 |
| 发表日期 | 1999-07-30 |
| 专利号 | JP1999204886A |
| 著作权人 | ノーゼルエンジニアリング株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体製造方法およびエージング装置 |
| 英文摘要 | 【課題】廃棄される不良品への投資額を低減するとともに、必要な床面積と人手を減らし、少ない費用でエージングすることのできる光半導体製造方法およびエージング装置を提供する。 【解決手段】接合と当該接合を構成するp、nそれぞれの電極は形成してあるが、これら電極のうち少なくとも一方を何処へもリード線付け、半田付け或いは導電性樹脂により光半導体素子のチップ外へ配線乃至接着をしていない段階で、すなわち、ウエハ割出工程の後など早い段階でエージングを行う。なお、この段階ではワイヤボンディング等が成されていないので、接触電極によってp、nの各電極と導通をとるエージング装置を用いる。 |
| 公开日期 | 1999-07-30 |
| 申请日期 | 1998-01-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51150]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ノーゼルエンジニアリング株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池田 健志. 光半導体製造方法およびエージング装置. JP1999204886A. 1999-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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