低抵抗電極を有する半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | ジョン·レニー; 野崎 千晴 |
| 发表日期 | 1999-07-30 |
| 专利号 | JP1999204887A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 低抵抗電極を有する半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】p型GaNへの良好なオーミック電極を形成し、動作電圧及びしきい値電流を低減したGaN系半導体装置を提供する。 【解決手段】p型GaN層のコンタクトメタルとしてV(バナジウム)を用い、これにAuのパッドメタルを積層して熱処理することによりp型GaN表面からGaをコンタクトメタル内に拡散し、さらにVとAuとの間にAuの拡散バリアとしてPtを積層して熱処理することによりp型GaN表面からコンタクトメタルに拡散するGaの濃度プロファイルを制御し、p型GaN表面とVコンタクトメタルとの界面に高抵抗の金属間化合物を生じることなく、前記Vコンタクトメタルと接合するp型GaN層表面を、適度なN過剰(Ga不足)状態とすることにより、良好なオーミック特性を有する電極構造を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1999-07-30 |
| 申请日期 | 1998-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51152]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジョン·レニー,野崎 千晴. 低抵抗電極を有する半導体装置. JP1999204887A. 1999-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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