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光デバイスの組立構造

文献类型:专利

作者生和 義人; 船場 真司
发表日期1999-08-06
专利号JP1999214791A
著作权人MITSUBISHI ELECTRIC CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光デバイスの組立構造
英文摘要【課題】 チップの半田付けには信頼性の高い高融点半田を使用しても、チップに加わる応力は小さく、組立を1回の作業で行なうことが可能となる組立構造を提供すること。 【解決手段】 光デバイス用チップをサブマウントを介して放熱ブロック上に積層してなる光デバイスであって、上記サブマウントが上記チップとの接着面には高融点半田層を、上記ブロック接着面には低融点半田層、塑性変形層または応力吸収溝を備え、チップ/サブマウント/ブロックの順で重ね合わせ、上記高融点半田層の融点以上でチップ/サブマウント/ブロックを加圧下半田付けしてなる光デバイスの組立構造。
公开日期1999-08-06
申请日期1998-01-29
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51155]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
生和 義人,船場 真司. 光デバイスの組立構造. JP1999214791A. 1999-08-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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