アレイ型レーザダイオード
文献类型:专利
作者 | 米田 勲生 |
发表日期 | 1999-08-27 |
专利号 | JP1999233877A |
著作权人 | 日本電気株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | アレイ型レーザダイオード |
英文摘要 | 【解決課題】 基板に接合する際の活性層に対する熱応力を軽減できると共に、使用時の放熱性を向上させることができ、かつ高速で動作可能なアレイ型レーザダイオードを提供する。 【手段】 内部にストライプ状の活性層3と、基板に実装する実装面に該活性層と近接して設けられたストライプ状電極4とを備えるアレイ型レーザダイオードにおいて、実装面においてストライプ状電極4と離間していると共に電気的に接続している分岐接合電極6及び/又は周囲から電気的に分離している島状接合電極7とを備える構成とする。 |
公开日期 | 1999-08-27 |
申请日期 | 1998-02-16 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51158] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日本電気株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 米田 勲生. アレイ型レーザダイオード. JP1999233877A. 1999-08-27. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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