窒化物化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 藤 本 英 俊; ジョン レニー; 山 本 雅 裕; 石 川 正 行; 布 上 真 也; 杉 浦 理 砂 |
| 发表日期 | 1998-11-04 |
| 专利号 | JP1998294531A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 接触抵抗が低くさらに良好なワイアボンディングができる電極を有する窒化物化合物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 電流阻止層111を、所定の金属の酸化物、炭素.p型およびn型の導電性を示す不純物を含むn型のB(1-x-y-z)InXAlyGazN単結晶層(0≦x,y,z≦1)、水素または酸素によってキャリアが不活性化されてなるi型B(1-x-y-z)InXAlyGazN単結晶層(0≦x,y,z≦1)のいずれかの材料にしたため、ドライエッチンクプロセスを不要とした内部電流狭窄構造を実現する。または、逆バイアス電圧を印加することにより、電流経路に沿って半導体層を活性化することができ、それ以下の領域を電流ブロック層として作用させることができる。 |
| 公开日期 | 1998-11-04 |
| 申请日期 | 1998-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51159]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤 本 英 俊,ジョン レニー,山 本 雅 裕,等. 窒化物化合物半導体発光素子. JP1998294531A. 1998-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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