窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 史郎; 小池 正好 |
| 发表日期 | 1999-09-28 |
| 专利号 | JP1999266058A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】フリップチップ型のレーザダイオードの共振器の平頂部上面に形成するp電極の高さは、n型層に接合するn電極の高さと異なるため、このレーザダイオードをヒートシンクに接続固定する際2つの電極の段差を半田で全て解消しなければならなず、レーザダイオードを傾けず正確に接続固定することが難しい。 【解決手段】共振器平頂部以外の共振器平頂部と同じ高さのエッチングされずに残った窒化ガリウム系化合物半導体最上層の上面と、この上面の第1部分領域から、エッチングにより露出した半導体表面の第1部分領域を経て、共振器平頂部の少なくとも1部分を露出させて共振器平頂部まで形成された絶縁性保護膜と、共振器平頂部の露出部に接合し絶縁性保護膜上に渡って形成されたp電極と、上記上面の第2部分領域からエッチングにより露出した半導体表面の第2部分領域に渡って形成されたn電極とを設ける。 |
| 公开日期 | 1999-09-28 |
| 申请日期 | 1998-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51167]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 史郎,小池 正好. 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード. JP1999266058A. 1999-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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