面発光型半導体レーザアレイ
文献类型：专利
| 作者 | 金子 剛; 近藤 貴幸; 川瀬 健夫 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP1999274633A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザアレイ |
| 英文摘要 | 【課題】面発光型半導体レーザアレイ特有の熱的クロストークを低減するために、分離溝で各素子の周囲を完全に分離すると、素子特性が劣化してしまうという問題があった。また、分離溝が原因となるへき開時の不良発生率の増加の問題も存在していた。 【解決手段】面発光型半導体レーザアレイを構成する素子間に、少なくとも2つの終端部を有する溝を形成することで、放熱経路を確保し素子特性を劣化させることなく熱的クロストークを抑制することができると同時に、へき開時の不良発生率を低減することができる。熱的クロストークは、ヒートシンクと組み合わせることでより効果的に除去することができる。また、溝の終端部を円形にすることにより、へき開時の不良発生率をより効果的に低減することができる。 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1998-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51169]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金子 剛,近藤 貴幸,川瀬 健夫. 面発光型半導体レーザアレイ. JP1999274633A. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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