半導体受発光装置及びその組立方法
文献类型：专利
| 作者 | 嶋岡 誠; 中村 均; 芹沢 弘二; 松原 茂; 金谷 達憲; 山田 泰文; 橋本 俊和 |
| 发表日期 | 1999-12-14 |
| 专利号 | JP1999346030A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体受発光装置及びその組立方法 |
| 英文摘要 | 【課題】アクセス系光通信に使用する平面実装モジュールを実現するには、はんだ接合層の厚さ制御と確実な接合ができる構造を提供するところにある。 【解決手段】(1)はんだ厚さを制御し易くするため、すべてをAu-Snはんだにしないで、他の金属膜で厚さを確保する。この金属膜は、はんだ接合時溶解することはないので厚さを確保し易い。(2)はんだ面積を分割した構造とすることで応力低減を図る。(3)蒸着膜をアニールすることにより、膜強度を高くする。(4)はんだ厚を制御するため、はんだ接合部とは別の部分にはんだ厚調整用ニッケルの膜を設けることで変形、収縮を抑える |
| 公开日期 | 1999-12-14 |
| 申请日期 | 1998-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51185]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 嶋岡 誠,中村 均,芹沢 弘二,等. 半導体受発光装置及びその組立方法. JP1999346030A. 1999-12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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