半導体の製造方法及びその製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 西川 孝司; 北畠 真; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 1999-03-16 |
| 专利号 | JP1999074199A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体の製造方法及びその製造装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 欠陥が少ないGaN系半導体結晶を確実に得られるようにする。 【解決手段】 まず、基板の前処理として、面方位が(111)面のSiよりなる基板11をフッ酸に浸漬して、基板11の主面のダングリングボンドを終端させるためのH原子層12を形成する。次に、この基板11をMBE装置における高真空の反応容器内に搬入し、搬入された基板11のH原子層12の上に、Gaの分子線及びSeの分子線をそれぞれ供給することにより、ファンデルワールス結晶体であるGaSeよりなるバッファ層13を成長させる。次に、Seの供給を止め、代わりに、基板11のバッファ層13の上に、高周波又は電子サイクロトロン共鳴を用いて活性化されたN2ガスを窒素源として供給することにより、GaNよりなる半導体層14を成長させる。 |
| 公开日期 | 1999-03-16 |
| 申请日期 | 1998-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51186]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 孝司,北畠 真,佐々井 洋一. 半導体の製造方法及びその製造装置. JP1999074199A. 1999-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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