密着結合領域の付近に電極を持つ半導体光デバイス及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 古川 幸生; 尾内 敏彦 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022273A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 密着結合領域の付近に電極を持つ半導体光デバイス及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】固相接合技術を用いて、生産性、歩留まりが良く、アレイ化に適した電極配置を持つ半導体光デバイス及びその作製方法である。 【解決手段】第1の基体は、活性層17を含む少なくとも1つの突起部21と突起部21の近くに形成された第1の接合部材25、27を含む。第2の基体は、第2の基板51と第1の接合部材25、27と対応する位置に設けられた第2の接合部材59、61を含む。第1、第2の基体が接着されて、突起部21の最表面と第2の基体の最表面とが電気的結合を達成する様に密着結合し、かつ、第1、第2の接合部材25、27、59、61同士が接合する。突起部21の最表面と第2の基体の最表面との密着結合領域の付近の第2の基体の最表面上に、突起部21と電気的に接続された電極59が設けられている。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51192]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古川 幸生,尾内 敏彦. 密着結合領域の付近に電極を持つ半導体光デバイス及びその作製方法. JP2000022273A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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