半導体素子および製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ブライアン·エイ·ウェブ |
| 发表日期 | 1999-05-11 |
| 专利号 | JP1999126865A |
| 著作权人 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子および製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リード13と、リード13の少なくとも一つと実質的に同一面上にあるフラグ14とを具備するリードフレーム12であって、フラグ14が穴15を有するところのリードフレーム12を設けることによって、半導体素子を製造可能にする。 【解決手段】 電子基板11はフラグ14に接着され、電子基板11の周辺はボンディング·パッド21を有し、これらのボンディング·パッド21はフラグ14の方向を向き、電子基板11は穴15を覆い、フラグ14はボンディング·パッド21上にない。次に、パッド21はリード13にワイヤ·ボンディングされ、電子基板11およびリードフレーム12はパッケージング材料17で封入され、このパッケージング材料17は開口部23を有し、かつフラグ14の穴15を覆わない。 |
| 公开日期 | 1999-05-11 |
| 申请日期 | 1998-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51199]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ブライアン·エイ·ウェブ. 半導体素子および製造方法. JP1999126865A. 1999-05-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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