半導体レーザ素子用ステムおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 水由 明 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP2000183440A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子用ステムおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子用ステムを、高出力半導体レーザに適した、放熱性および信頼性が高く、かつ組立て位置精度の向上を図ることができるものにする。 【解決手段】 円形のベース部11と、半導体レーザチップが接着されるチップ接着面12aを備えてベース部11の上面に接合されるポスト部12とを有する半導体レーザ素子用ステム10において、ベース部11を鉄あるいは鉄系合金で形成し、ポスト部12を銅あるいは銅系合金で形成し、かつベース部11が画く円の面積に対するベース部11とポスト部12との接触面積の比率を7.9%以上とする。 |
| 公开日期 | 2000-06-30 |
| 申请日期 | 1998-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水由 明. 半導体レーザ素子用ステムおよびその製造方法. JP2000183440A. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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