希土類をド—プした半導体構造及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ジョーン·ジェイ·ペカリ; ウォルター·ジェイ·バーフー |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP1999340504A |
| 著作权人 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレ-ション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 希土類をド—プした半導体構造及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】発光ダイオード(LED)、レーザ、光増幅器のような光デバイスに特に役立つ希土類のドーパントを含む半導体構造及びその製造方法に関する。 【解決手段】pn接合4の付近に位置づけられた領域5は、希土類元素でドーピングされる。本発明の半導体構造は、第1のp型領域2と第1のn型領域3とを有するpーn接合を半導体内に有する構造である。その上、その構造は前記P型領域及び前記n型領域の1つと結合している電荷ソースを含み、電荷キャリアーを供給して希土類原子を励起する。 |
| 公开日期 | 1999-12-10 |
| 申请日期 | 1999-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51243]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレ-ション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジョーン·ジェイ·ペカリ,ウォルター·ジェイ·バーフー. 希土類をド—プした半導体構造及びその製造方法. JP1999340504A. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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