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半導体光装置と半導体光装置の温度制御方法

文献类型:专利

作者赤毛 勇一
发表日期2000-09-08
专利号JP2000244048A
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光装置と半導体光装置の温度制御方法
英文摘要【課題】 半導体光素子の温度制御の高速化を図るとともに、高密度に集積された半導体光素子を個々に温度制御する。 【解決手段】 第1の温度調整素子2が一体に設けられた半導体光素子1が少なくとも1つ形成された半導体基板6と、ヒートシンク5と、第2の温度調整素子4とを備え、半導体基板6は、第1の温度調整素子2が設けられた面の第1の温度調整素子2以外の領域が突出した形状であり、この半導体基板6の突出した領域がヒートシンク5に接するように、このヒートシンク5を介して第2の温度調整素子4に取り付けられた半導体光装置を提供する。
公开日期2000-09-08
申请日期1999-02-22
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51245]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
赤毛 勇一. 半導体光装置と半導体光装置の温度制御方法. JP2000244048A. 2000-09-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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