III族窒化物半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 新村 康; 国原 健二 |
| 发表日期 | 2000-09-22 |
| 专利号 | JP2000261103A |
| 著作权人 | 富士電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ワイヤボンディング時に、SiO2 層上で剥離の起こらないNi層からなるp側電極を有するIII 族窒化物半導体装置を提供する。 【解決手段】p型のIII 族窒化物半導体上にパターニングされたSiO2 層8が形成されており、p型のIII 族窒化物半導体上およびSiO2 層上にNi層9aが形成されp側電極とされているIII 族窒化物半導体装置において、前記Ni層と前記SiO2 層との間にTi層9cを介在させる。1は基板、2〜7はIII 族窒化物半導体層である。 |
| 公开日期 | 2000-09-22 |
| 申请日期 | 1999-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51249]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新村 康,国原 健二. III族窒化物半導体装置およびその製造方法. JP2000261103A. 2000-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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