ZnSe系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 片山 浩二; 三枝 明彦; 松原 秀樹; 武部 敏彦 |
| 发表日期 | 2000-11-02 |
| 专利号 | JP2000307150A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ZnSe系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 台座電極下での電流の漏れを防ぎ、外部量子効率の向上とそのばらつきの低減を図ることができるように改良されたZnSe系化合物半導体発光素子を提供することを主要な目的とする。 【解決手段】 ZnSe単結晶基板1の上に、n型半導体層2,3が設けられている。n型半導体層2,3の上に発光層4が設けられている。発光層4の上に、p型半導体層5,6,7,8が設けられている。p型半導体層5,6,7,8の上に、ワイヤボンディングをするための台座電極11が設けられている。台座電極11の直下の半導体層に電流が流れないようにされている。 |
| 公开日期 | 2000-11-02 |
| 申请日期 | 1999-04-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51256]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 片山 浩二,三枝 明彦,松原 秀樹,等. ZnSe系化合物半導体発光素子. JP2000307150A. 2000-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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