半導体レーザ素子並びにその実装方法及び製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石井 光男 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP2000323777A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子並びにその実装方法及び製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光点が、レーザダイオードチップとサブマウントの接合時に発生する半田ボールにより遮られることなく、半田ボール発生による光ケラレ率が極めて低く、信頼性の高い半導体レーザ素子を得る。 【解決手段】 サブマウント2をレーザダイオードチップ1の発光点5に対して左右非対称にダイボンドし、サブマウント2の最表面の半田4がレーザダイオードチップ1の外側にはみ出るようにする。 |
| 公开日期 | 2000-11-24 |
| 申请日期 | 1999-05-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 光男. 半導体レーザ素子並びにその実装方法及び製造方法. JP2000323777A. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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