光学用シリコン層を基板上に形成する方法および該方法による光学素材の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | アジ, エマニュエル; ポートラ, ジャン-ルイ |
| 发表日期 | 2002-10-29 |
| 专利号 | JP2002536708A |
| 著作权人 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光学用シリコン層を基板上に形成する方法および該方法による光学素材の製造方法 |
| 英文摘要 | The invention relates to a method for forming an optical silicon layer (22a) on a support (10), having a specific thickness. The inventive method comprises the following steps: a) a silicon block (20a) is molecularly bonded to the support, whereby the silicon block has a surface layer (22a) that is defined by a cleavage zone, b) the silicon block is cleaved according to the cleavage zone in order to detach the surface layer therefrom, c) the thickness of the surface layer is adjusted. The invention can be used in the production of optical components. |
| 公开日期 | 2002-10-29 |
| 申请日期 | 2000-02-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51280]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | アジ, エマニュエル,ポートラ, ジャン-ルイ. 光学用シリコン層を基板上に形成する方法および該方法による光学素材の製造方法. JP2002536708A. 2002-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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