偏波無依存型半導体光増幅器
文献类型：专利
| 作者 | 森戸 健 |
| 发表日期 | 2001-02-23 |
| 专利号 | JP2001053392A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 偏波無依存型半導体光増幅器 |
| 英文摘要 | 【課題】 偏波無依存型半導体光増幅器に関し、偏波間の利得差をなくすことと、飽和光出力を増大させることを両立する。 【解決手段】 偏波無依存型半導体光増幅器を構成する伸張歪を導入したバルク結晶からなる歪バルク活性層3の層厚を20nm〜90nmとし、歪量を-0.10%〜-0.60%とする。 |
| 公开日期 | 2001-02-23 |
| 申请日期 | 2000-05-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51285]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森戸 健. 偏波無依存型半導体光増幅器. JP2001053392A. 2001-02-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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