面発光レーザ、フォトダイオード、それらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昇二郎; 井出 次男; 原田 篤; 金子 丈夫 |
| 发表日期 | 2002-12-20 |
| 专利号 | JP2002368334A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザ、フォトダイオード、それらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路 |
| 英文摘要 | 【課題】 フリップチップボンディングによる実装を行っても、強固に実装することができるとともに、高速変調を可能とした面発光レーザ及びフォトダイオード及びそれらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路を提供する。 【解決手段】 半導体基板1上に積層された半導体積層体2に、凹部6を介して発光部2Aと補強部2Bを形成し、当該補強部2Bの上面にp型オーミック電極4及びn型オーミック電極5を形成する。p型オーミック電極4は、凹部6内に埋め込まれ、ポリイミド内に上下方向に形成されたコンタクトホール41aを介して、p型コンタクト層21と導通しており、発光部2Aにその厚さ方向の電流を供給することができる。また、凹部6には、半導体基板1に達する溝部6aが形成され、p型オーミック電極4及びn型オーミック電極5間に生じる寄生容量を抑制している。 |
| 公开日期 | 2002-12-20 |
| 申请日期 | 2002-03-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51340]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昇二郎,井出 次男,原田 篤,等. 面発光レーザ、フォトダイオード、それらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路. JP2002368334A. 2002-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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