半導体レーザ素子のスクリーニング装置およびスクリーニング方法
文献类型：专利
| 作者 | 大▲崎▼ 裕人; 田村 佳和 |
| 发表日期 | 2004-03-25 |
| 专利号 | JP2004096030A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子のスクリーニング装置およびスクリーニング方法 |
| 英文摘要 | 【課題】複数のストライプを形成した多波長半導体レーザ素子をスクリーニングする場合、活性層毎すなわち波長毎にスクリーニングを行う必要があるが、従来の半導体レーザ素子のスクリーニング方法では、活性層側に2つの異なる波長の表面電極が形成されているために、両方に電流が流れてしまい、一方の波長を選択してスクリーニングすることができなかった。 【解決手段】複数のストライプを形成した多波長半導体レーザ素子をスクリーニングする治具において、その放熱板は導電性の電極と非導電性の不導体が積層された構造であり、レーザ素子の複数の電極からスクリーニングを行う電極のみを放熱板の電極に接触するようにレーザ素子を載置することで所望の波長のレーザを選択しスクリーニングを行う。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-03-25 |
| 申请日期 | 2002-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51355]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大▲崎▼ 裕人,田村 佳和. 半導体レーザ素子のスクリーニング装置およびスクリーニング方法. JP2004096030A. 2004-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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