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發光二極體陣列

文献类型:专利

作者行本富久; 國武榮一; 杉山聰; 小森洋介; 助川俊光
发表日期2004-09-16
专利号TW200418206A
著作权人隆达电子股份有限公司
国家中国台湾
文献子类发明申请
其他题名發光二極體陣列
英文摘要本發明提供一種發光二極體陣列,它能夠防止臺面蝕刻的高差斜面部分產生的Au加工殘留造成的佈線短路,同時容易控制發光部的尺寸、成品率高且批量化生產性強。其特徵在於,具有:在基板上形成的導電層、在上述導電層上形成的各自獨立的發光部、在各發光部上面的至少一部分形成的第一電極、和接近上述發光部並在上述導電層上形成的第二電極;上述第一電極具有開關用的矩陣共同電極、上述第二電極具有按塊分割的共同電極;上述第一共同電極及上述第二共同電極上延伸存在的壓焊片的至少一方設在上述導電層上呈島狀形成的壓焊部上,而且上述壓焊片各自獨立形成。
公开日期2004-09-16
申请日期2003-06-13
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51377]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位隆达电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
行本富久,國武榮一,杉山聰,等. 發光二極體陣列. TW200418206A. 2004-09-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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