半導体パッケージ
文献类型:专利
作者 | 佐々木 一隆; 高木 大輔; 田中 基義; 粟田 英章; 中西 秀典 |
发表日期 | 2005-02-03 |
专利号 | JP2005032744A |
著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体パッケージ |
英文摘要 | (修正有) 【課題】半導体素子の搭載数を最大限に高めて高密度実装が可能な半導体パッケージを提供する。 【解決手段】アルミナメタライズ基板1の上側表面には、メタライズパターン12を形成し、下側表面にはメタライズパターンを形成し、両者を貫通ビア11で接続する。金属ステム4には貫通孔を形成し、貫通孔にペレットとピン2の他端とを挿入し、ピン2の一方の先端面をアルミナメタライズ基板1の下側表面のメタライズパターンに当接させてロウ付けする。アルミナメタライズ基板1の下端面を金属ステム4の上段部41の上端面に接触させてアルミナメタライズ基板1を金属ステム4に積層し、ピン2を金属ステム4に固着する。アルミナメタライズ基板1上に発光素子5や受光素子6を配置し、メタライズパターン12とワイヤーボンディング接続する。 【選択図】図2 |
公开日期 | 2005-02-03 |
申请日期 | 2003-07-07 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51378] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 一隆,高木 大輔,田中 基義,等. 半導体パッケージ. JP2005032744A. 2005-02-03. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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