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半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の結合効率測定方法ならびに半導体レーザ素子の結合方法

文献类型:专利

作者稲垣 祐一; 松下 俊雄; 山田 孝夫
发表日期2004-08-05
专利号JP2004221577A
著作权人日亜化学工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の結合効率測定方法ならびに半導体レーザ素子の結合方法
英文摘要【課題】 新規な半導体レーザ素子また、非ガウシアン分布である半導体レーザ素子の新規な結合効率を求める方法、さらには非ガウシアン分布である半導体レーザ素子とレーザ光を受光する受光部とを歩留良く結合させる方法を提供する。 【解決手段】 遠視野像測定装置などの比較的容易に半導体レーザ素子の特性が測定できる装置を用い、半導体レーザ素子から出されるレーザ光の光強度および、半導体レーザ素子と結合させる受光部における受光部を通過する光強度のそれぞれをドット状に算出し、結合効率を求める。 【選択図】 図5
公开日期2004-08-05
申请日期2004-01-05
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51406]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日亜化学工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
稲垣 祐一,松下 俊雄,山田 孝夫. 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の結合効率測定方法ならびに半導体レーザ素子の結合方法. JP2004221577A. 2004-08-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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