半導体発光装置およびそれを用いた光装置
文献类型：专利
| 作者 | 竹谷 元伸 |
| 发表日期 | 2006-03-02 |
| 专利号 | JP2006060105A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびそれを用いた光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaNなどの導電性基板を用いた半導体発光装置において、2つの電極を基板あるいはヒートシンクから浮かせたフローティング実装を可能とし、放熱特性を生かしつつ、低電圧駆動を可能とする。 【解決手段】 n型GaNからなる基板11とn側コンタクト層13との間に、p型GaN:Mg層からなる電流阻止層12を介在させる。基板11,電流阻止層12およびn側コンタクト層13の上下3層でnpn構造が形成され、基板11とその上のレーザ構造とが電気的に分離される。p側電極22を上にして基板11の裏面側をヒートシンク28に接続させたとしても、n側電極24は、基板11およびヒートシンク28を介して接地されることがなく、p側電極22と共に基板11から切り離されてフローティング状態となる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-03-02 |
| 申请日期 | 2004-08-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51437]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹谷 元伸. 半導体発光装置およびそれを用いた光装置. JP2006060105A. 2006-03-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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