ナノチューブ·コンタクトを用いた半導体デバイスおよび方法
文献类型：专利
| 作者 | リンズラー、アンドリュー ガブリエル; ピアトン、スティーブン ジェイ. |
| 发表日期 | 2007-08-16 |
| 专利号 | JP2007523495A |
| 著作权人 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ナノチューブ·コンタクトを用いた半導体デバイスおよび方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 1つ以上の半導体層に対して接触抵抗を低下するコンタクト層を備えたナノチューブを含む電子および光電半導体デバイスを提供する。 【解決手段】 半導体デバイスは、少なくとも1つの半導体層と、半導体層と電気的に接触する金属層と、金属層と半導体層との間に介在するカーボン·ナノチューブ·コンタクト層とを含む。コンタクト層は、金属層を半導体層に電気的に結合し、低い比接触抵抗を有する半導体コンタクトが得られる。コンタクト層は、可視光範囲の少なくとも一部において、実質的に光透過膜となることができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-08-16 |
| 申请日期 | 2005-02-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51465]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | リンズラー、アンドリュー ガブリエル,ピアトン、スティーブン ジェイ.. ナノチューブ·コンタクトを用いた半導体デバイスおよび方法. JP2007523495A. 2007-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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