半導体レーザ装置の製造方法および接合方法、並びに半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 今西 大介 |
| 发表日期 | 2006-12-14 |
| 专利号 | JP2006339511A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法および接合方法、並びに半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザアレイの残留応力を低減することができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 サブマウント20に引張り力Ftを作用させることにより、引張り応力Stを発生させる。次いで、引張り応力Stの生じたサブマウント20と、レーザアレイ10とを同時に加熱し圧着することにより互いに接合させる。サブマウント20とレーザアレイ10との熱膨張係数差による両者の熱膨張量の差は引張り応力Stにより相殺され、サブマウント20の伸び量がレーザアレイ10の熱膨張量に略等しくなる。接合後、室温に戻すと、レーザアレイ10の残留応力はほぼゼロとなる。レーザアレイ10をヒートシンクに直接配設する場合にはヒートシンクに圧縮力を作用させ、圧縮応力の生じたヒートシンクと、レーザアレイ10とを互いに接合させる。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2006-12-14 |
| 申请日期 | 2005-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51487]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今西 大介. 半導体レーザ装置の製造方法および接合方法、並びに半導体レーザ装置. JP2006339511A. 2006-12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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