光半導体素子内蔵デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 深井 勉; 大西 雅裕 |
| 发表日期 | 2007-01-18 |
| 专利号 | JP2007012681A |
| 著作权人 | 新科實業有限公司 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子内蔵デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】光半導体素子内蔵デバイスの製造において、ヘッダに取付けられた半導体素子への溶接時の電気的影響を抑制する。 【解決手段】光半導体素子が設けられたヘッダに、光半導体素子を覆うキャップを接合して、光半導体素子内蔵デバイスを製造する方法は、光半導体素子の各端子を互いに短絡させる短絡ステップ(S3)と、その後に、キャップとヘッダとを溶接によって接合する接合ステップ(S5)と、その後に、各端子の短絡を解除するステップ(S6)とを有している。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2007-01-18 |
| 申请日期 | 2005-06-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51491]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新科實業有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深井 勉,大西 雅裕. 光半導体素子内蔵デバイスの製造方法. JP2007012681A. 2007-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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