窒化物半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高倉 輝芳; 津田 有三 |
| 发表日期 | 2007-02-01 |
| 专利号 | JP2007027181A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 上記窒化物半導体レーザ装置において、リッジストライプの損傷を防止し、且つ放熱性が良好で信頼性の高い窒化物半導体レーザ装置を提供すること。 【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子がサブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置において、窒化物半導体レーザ素子は、p型窒化物半導体層と、p型電極と、金属膜とを含み、p型窒化物半導体層上面に、狭窄化されたリッジストライプが形成され、かつ、リッジストライプに沿って両脇に溝部が設けられたダブルチャネル構造が設けられ、p型電極は前記リッジストライプの頂上部に接し、かつp型窒化物半導体層上面の形状に適合するように形成され、金属膜はp型電極上に形成され、かつ金属膜とp型電極との間に空洞がないことを特徴とする、窒化物半導体レーザ装置。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-02-01 |
| 申请日期 | 2005-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51493]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高倉 輝芳,津田 有三. 窒化物半導体レーザ装置. JP2007027181A. 2007-02-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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