光半導体装置および光半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉村 明夫; 岩元 伸行; 小原 直樹 |
| 发表日期 | 2007-02-08 |
| 专利号 | JP2007035687A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ヒートシンク用金属層の金属(Au)とマウント用金属層の金属(Sn)との合金層の発生をなくし、信頼性の高い受発光一体型の光半導体装置を提供する。 【解決手段】ヒートシンク用金属層5の表面に生じる凹凸11の深さよりも、バリアメタル層6の厚さの方が厚く形成されるように層形成条件を設定し、凹凸11部分においてヒートシンク用金属層5の表面をバリアメタル層6から露出させないようにする。これにより、半導体レーザと受光素子をマウントするために、接着用として用いるマウント用金属層8であるSnメッキを熱により溶融し広がった状態でも、ヒートシンク用金属層5のAuとマウント用金属層8のSnとがバリアメタル層6のTi層により分離され、Au-Sn合金層の異常な成長をなくすことができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-02-08 |
| 申请日期 | 2005-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51494]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉村 明夫,岩元 伸行,小原 直樹. 光半導体装置および光半導体装置の製造方法. JP2007035687A. 2007-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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