半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石田 裕之; 冨士原 潔 |
| 发表日期 | 2007-02-08 |
| 专利号 | JP2007035884A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 内部への物の侵入を防止するとともに小型化され、高い放熱効率を有する半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 金属板1と、金属板1の上に設けられた、受光素子と発光素子とを含む受発光部と、少なくとも一部が金属板1の上に設けられた、上記受発光部と電気的に接続されたフレキシブルシート5と、金属板1の上方に設けられたガラス基板7と、金属板1の上の側部に設けられた、封止基板6a,6bとを備え、金属板1及びガラス基板7の相手方と対向する面には、それぞれ溝1a,1b、溝7a,7bが設けられており、封止基板6aは溝1a及び溝7aに嵌め込まれており、封止基板6bは溝1b及び溝7bに嵌め込まれている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-02-08 |
| 申请日期 | 2005-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51498]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 裕之,冨士原 潔. 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法. JP2007035884A. 2007-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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