半導体レーザ素子のダイボンド装置およびダイボンド方法
文献类型:专利
作者 | 三好 隆一 |
发表日期 | 2007-03-29 |
专利号 | JP2007080964A |
著作权人 | SHARP CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ素子のダイボンド装置およびダイボンド方法 |
英文摘要 | 【課題】 簡易かつコンパクトな構成で高精度に半導体レーザ素子を位置決めしダイボンドすることができる半導体レーザ素子のダイボンド装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子26から放射される光の軸方向を調整して半導体レーザ素子26をステムにダイボンドするダイボンド装置20は、半導体レーザ素子26の発光点の位置を測定するCCDカメラ21と、放射光を受光して光出力を測定する第1受光素子22と、スリット49を通して放射光を受光し、光の出力が最大となるピーク位置を測定する第2受光素子23とを含み、第1受光素子22と第2受光素子23とは、支持アーム部材44に装着されることによって、一体的な部材を構成する。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2007-03-29 |
申请日期 | 2005-09-12 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51505] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SHARP CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 三好 隆一. 半導体レーザ素子のダイボンド装置およびダイボンド方法. JP2007080964A. 2007-03-29. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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