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半導体レーザ素子のダイボンド装置およびダイボンド方法

文献类型:专利

作者三好 隆一
发表日期2007-03-29
专利号JP2007080964A
著作权人SHARP CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子のダイボンド装置およびダイボンド方法
英文摘要【課題】 簡易かつコンパクトな構成で高精度に半導体レーザ素子を位置決めしダイボンドすることができる半導体レーザ素子のダイボンド装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子26から放射される光の軸方向を調整して半導体レーザ素子26をステムにダイボンドするダイボンド装置20は、半導体レーザ素子26の発光点の位置を測定するCCDカメラ21と、放射光を受光して光出力を測定する第1受光素子22と、スリット49を通して放射光を受光し、光の出力が最大となるピーク位置を測定する第2受光素子23とを含み、第1受光素子22と第2受光素子23とは、支持アーム部材44に装着されることによって、一体的な部材を構成する。 【選択図】図1
公开日期2007-03-29
申请日期2005-09-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51505]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
三好 隆一. 半導体レーザ素子のダイボンド装置およびダイボンド方法. JP2007080964A. 2007-03-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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