半導体レーザ装置とその製造方法、および光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 小原 直樹; 松田 俊夫; 岩元 伸行; 高森 晃 |
| 发表日期 | 2006-07-20 |
| 专利号 | JP2006191135A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法、および光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高い精度で、且つ確実に半導体レーザ素子が半導体基板に実装されることで、高い位置精度をもってレーザ光の出射ができる青色半導体レーザ装置とその製造方法、および光ピックアップ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子は、p型層上に形成されたSiN膜との間に、Ti層およびAu層に加えてヒートシンク層およびはんだ層(層厚4μm程度)を介して載置されている。この中で、ヒートシンク層は、Au層とTi層との間に介挿されており、20μm程度の厚みを有する。このようにヒートシンク層の厚みがAu層(膜厚0.4μm)よりも厚いのは、これによって基板厚み方向における半導体レーザ素子の取り付け位置を確保するためのものである。 また、半導体レーザ光の反射部となるミラー部にはAl層と誘電体層があり、青色光に対して高反射率な特性を示す反射膜構造が形成されている。 【選択図】図9 |
| 公开日期 | 2006-07-20 |
| 申请日期 | 2006-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51522]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小原 直樹,松田 俊夫,岩元 伸行,等. 半導体レーザ装置とその製造方法、および光ピックアップ装置. JP2006191135A. 2006-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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