半導体装置及び該半導体装置における放熱方法
文献类型：专利
| 作者 | 稲永 宏; 坂本 順信 |
| 发表日期 | 2008-02-14 |
| 专利号 | JP2008034640A |
| 著作权人 | RICOH PRINTING SYSTEMS LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及び該半導体装置における放熱方法 |
| 英文摘要 | 【課題】効率良く放熱することで、半導体装置における高出力化や寿命の向上、熱による光出力変動の抑制を実現させる。 【解決手段】半導体レーザ素子をマウントしたヒートシンクをステムに取り付けた構成からなる半導体装置において、前記ステムの予め設定された部分に前記ヒートシンクを貫通するための開口部を形成し、前記ヒートシンクの一部を前記開口部から通過させ、通過させた前記ヒートシンクの端面を前記半導体レーザ素子からのレーザ光の発光動作を制御するためのレーザ駆動基板に接するように固定し、前記レーザ駆動基板の前記端面と接する位置を含む所定の領域に前記ヒートシンクからの熱を放熱させるための金属膜部を設けることにより、上記課題を解決する。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2008-02-14 |
| 申请日期 | 2006-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51539]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH PRINTING SYSTEMS LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 稲永 宏,坂本 順信. 半導体装置及び該半導体装置における放熱方法. JP2008034640A. 2008-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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