半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 石田 裕之; 吉川 則之; 井島 新一 |
| 发表日期 | 2008-08-28 |
| 专利号 | JP2008198808A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることを目的とする。 【解決手段】半導体レーザ素子設置基板1を拡大して気密封止CAP6と接触させることにより、半導体レーザ素子設置基板1の面積を大きくして放熱性を高めることができるため、半導体レーザ素子2の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。さらに、気密封止用CAP6と筐体7を接触させることにより、半導体レーザ素子2の熱が気密封止CAP6を通じ直接筐体7に放熱され、半導体レーザ素子2からの放熱パスが短くなって放熱性が高まるため、半導体レーザ素子2の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-08-28 |
| 申请日期 | 2007-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51565]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 裕之,吉川 則之,井島 新一. 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置. JP2008198808A. 2008-08-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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