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半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置

文献类型:专利

作者石田 裕之; 吉川 則之; 井島 新一
发表日期2008-08-28
专利号JP2008198808A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置
英文摘要【課題】半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることを目的とする。 【解決手段】半導体レーザ素子設置基板1を拡大して気密封止CAP6と接触させることにより、半導体レーザ素子設置基板1の面積を大きくして放熱性を高めることができるため、半導体レーザ素子2の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。さらに、気密封止用CAP6と筐体7を接触させることにより、半導体レーザ素子2の熱が気密封止CAP6を通じ直接筐体7に放熱され、半導体レーザ素子2からの放熱パスが短くなって放熱性が高まるため、半導体レーザ素子2の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。 【選択図】図1
公开日期2008-08-28
申请日期2007-02-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51565]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
石田 裕之,吉川 則之,井島 新一. 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置. JP2008198808A. 2008-08-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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