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半導体レーザ装置およびレーザモジュールならびに光学装置

文献类型:专利

作者古川 昭夫
发表日期2008-10-23
专利号JP2008258515A
著作权人SONY CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置およびレーザモジュールならびに光学装置
英文摘要【課題】スペックルを抑制することの可能な半導体レーザ装置およびこれを用いたレーザモジュールならびに光学装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置1は、ストライプ状の複数のリッジ部13を有する半導体レーザアレイ10を、リッジ部13側を下にしてヒートシンク19上に備える。複数のリッジ部13のうち、中央領域G1に配列されたリッジ部13のストライプ幅は、端部領域G3に配列されたストライプ幅よりも大きくなっている。一方、各リッジ部13上に設けられる電流注入層14のストライプ幅は略一様であることが好ましい。合成光のスペクトル帯域幅を5nm程度にまで拡大できると共に、各リッジ部13に対して均等な電流·電圧で駆動することができる。 【選択図】図1
公开日期2008-10-23
申请日期2007-04-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51575]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
古川 昭夫. 半導体レーザ装置およびレーザモジュールならびに光学装置. JP2008258515A. 2008-10-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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