窒化物系半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 西本 浩之 |
| 发表日期 | 2008-10-23 |
| 专利号 | JP2008258546A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】出射光の軸が設計した方向からずれにくく、高い歩留まりで製造できる窒化物系半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】ステムに付設されたチップ搭載部に、サブマウントを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置であって、サブマウントは、チップ搭載部に設けられた第1凹部に嵌装され、接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。また、上述のサブマウントは、第1凹部の底面に形成された第2凹部に配置された接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-10-23 |
| 申请日期 | 2007-04-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51576]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西本 浩之. 窒化物系半導体レーザ装置. JP2008258546A. 2008-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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