半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 長沼 香 |
| 发表日期 | 2008-11-27 |
| 专利号 | JP2008288256A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】簡易な工程で歪みを付加することができると共に、排熱効率を低下させることなく熱応力を緩和することの可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体レーザバー10のn側に、半導体レーザバー10よりも線膨張係数の小さい歪み付加部材11を接合層10aを介して接合する一方、半導体レーザバー10のp側に、接合層10bを介してヒートシンク12を接合する。接合部10aには例えばスズを含む共晶はんだ、接合部10bには例えばインジウムを含むはんだを用いる。n側に歪み付加部材11を接合層10aを介して接合することにより、半導体レーザバー10には延伸応力による-歪みが付加され、p側においてヒートシンク12への熱伝導が妨げられることがない。接合層10bにインジウムはんだを用いることにより、ヒートシンク12から半導体レーザバー10への応力が伝わりにくくなる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-11-27 |
| 申请日期 | 2007-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51582]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長沼 香. 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置. JP2008288256A. 2008-11-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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