半導体レーザ装置および表示装置
文献类型：专利
| 作者 | 滝口 幹夫; 長沼 香; 滝口 由朗; 若林 和弥 |
| 发表日期 | 2008-12-25 |
| 专利号 | JP2008311556A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置および表示装置 |
| 英文摘要 | 【課題】高出力化することの可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】基板10上に互いに並列配置された複数のリッジ部13を有する半導体レーザアレイ10と、ヒートシンク20と、半導体レーザアレイ10とヒートシンク20との間に設けられた半田層30および応力緩和層31とを備える。ヒートシンク20は、リッジ部13の熱膨張係数よりも大きな熱膨張係数を有する。応力緩和層31は、リッジ部13の熱膨張係数よりも小さな熱膨張係数を有し、かつ半導体レーザアレイ10との対向領域の一部に配置されている。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2008-12-25 |
| 申请日期 | 2007-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51590]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 滝口 幹夫,長沼 香,滝口 由朗,等. 半導体レーザ装置および表示装置. JP2008311556A. 2008-12-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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