半導体レーザ装置、および半導体レーザの制御方法
文献类型：专利
| 作者 | 石川 務; 町田 豊稔; 田中 宏和 |
| 发表日期 | 2009-02-26 |
| 专利号 | JP2009044024A |
| 著作权人 | ユーディナデバイス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、および半導体レーザの制御方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ヒータ温度の補正を行う際に波長変動量を抑制することができる、レーザ装置、および半導体レーザの制御方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置(100)は、ヒータ(14)によって選択波長を変化させることができる波長選択部(11)を備えた半導体レーザ(10)と、ヒータ(14)を所定の発熱量で発熱させる温度制御、および、ヒータ(14)の発熱量を所定の制限値以内で補正する補正温度制御、を行うコントローラ(50)と、を備える。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2009-02-26 |
| 申请日期 | 2007-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51596]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ユーディナデバイス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 務,町田 豊稔,田中 宏和. 半導体レーザ装置、および半導体レーザの制御方法. JP2009044024A. 2009-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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