窒化ガリウム系半導体面発光素子、および窒化ガリウム系半導体面発光素子を作製する方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 大樹 |
| 发表日期 | 2009-03-12 |
| 专利号 | JP2009054864A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体面発光素子、および窒化ガリウム系半導体面発光素子を作製する方法 |
| 英文摘要 | 【課題】良好な電気的な特性を有する窒化ガリウム系半導体面発光素子を作製する方法を提供する。 【解決手段】Ga面からなる主面45aの半導体構造物45を含む基板生産物W2が準備され、N面からなる主面19aの半導体構造物19を含む基板生産物W1が準備される。半導体構造物19はサファイア基板の窒化した表面上に窒化ガリウム系半導体をMBE法で成長して作製される。基板生産物W2の主面(Ga面)45aと基板生産物W2の主面19a(N面)とを対面させる。処理装置49内に、主面(Ga面)45aと主面19a(N面)とを互いに接触させて熱処理して半導体構造物19と半導体構造物45とを融着する。この結果、半導体構造物19、4が一体化されて、接合Jが形成される。接合Jでは半導体構造物19の接合面(N面)と半導体構造物45の接合面(Ga面)とが接合される。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2009-03-12 |
| 申请日期 | 2007-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51599]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 大樹. 窒化ガリウム系半導体面発光素子、および窒化ガリウム系半導体面発光素子を作製する方法. JP2009054864A. 2009-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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